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STB10NK60ZT4中文资料

STB10NK60ZT4图片

STB10NK60ZT4外观图

  • 大小:255.33KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB 所属类别:模拟类/功率场效应管(FETs-Power)
  • 其它有关文件:STB10NK60Z View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SuperMESH™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:750 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1370pF @ 25V
  • 功率 - 最大:115W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-6544-6

STB10NK60ZT4供应商

更新时间:2023-03-05 09:02:05
  • 供应商
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